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东芝照明在2012年12月就宣布已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化镓led的工艺，通过采用新型硅上氮化镓(gan-on-si)技术来生产led芯片，并且已经准备开始量产。
https://www.alighting.cn/news/201317/n279747771.htm2013/1/7 16:22:26
为了满足日益增长的市场需求，昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(gan)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺，主要用于蓝色和白色发光二极管(led)。
https://www.alighting.cn/resource/20070312/128484.htm2007/3/12 0:00:00
氮化铟镓(ingan)是蓝光led的关键材料，最近有国际研究团队发表有关氮化铟镓薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制，该研究在今年一月刊载于期刊《physica
https://www.alighting.cn/news/20180125/154979.htm2018/1/25 10:46:22
基于氮化铟镓技术和现有的制造设施，应变工程可以为微显示器提供一种可行的方法。
https://www.alighting.cn/pingce/20170919/152804.htm2017/9/19 9:53:06
衬底材料砷化镓单晶、氮化铝单晶等。它们大部分是iii-v族化合物半导体单晶，生产工艺比较成熟，已有开启即用的抛光征供货。其他原材料还有金属高纯镓，高纯金属有机物源如三甲基镓、三乙基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109152.html2010/10/20 17:35:00
中国科学院的陈弘与其研究团队利用晶格松弛(lattice relaxation)的特性，来控制氮化镓/氮化铟镓(gan/ingan)量子阱中铟的沉淀(precipitatio
https://www.alighting.cn/resource/20090505/128690.htm2009/5/5 0:00:00
成高质量的氮化镓沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓也有优异的均一
https://www.alighting.cn/news/20100301/106392.htm2010/3/1 0:00:00
2009年6月5日尼日利亚标准局(son)和cbn发出编号为ted/fem/fpc/gen/01/095的通告，修订了现有的soncap计划管制产品清单，这项修订将在通告发出后90
http://blog.alighting.cn/agc888/archive/2009/12/19/21839.html2009/12/19 14:42:00
、碳化硅基板、阳极化铝基板等都有厂家在研究，但是现阶段都还有这样那样的缺陷难以大量应用，目前较成熟的方式还是薄膜氮化铝陶瓷，不过价格仍然限制其推广普及。至于风扇主动散热及电场自动风
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/1/3/346872.html2014/1/3 18:01:43
型欧姆接触以梳状插入其中，芯片尺寸，从而使当前的扩展距离可以缩短，以尽量减少支持和铟镓铝氮化物扩散阻力的esd保护二极管(esd)的硅芯片安装颠倒焊锡凸块。③陶瓷板倒装法。通用装
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
