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基于氮化铟镓技术和现有的制造设施，应变工程可以为微显示器提供一种可行的方法。
https://www.alighting.cn/pingce/20170919/152804.htm2017/9/19 9:53:06
中国科学院的陈弘与其研究团队利用晶格松弛(lattice relaxation)的特性，来控制氮化镓/氮化铟镓(GaN/inGaN)量子阱中铟的沉淀(precipitatio
https://www.alighting.cn/resource/20090505/128690.htm2009/5/5 0:00:00
成高质量的氮化镓沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓也有优异的均一
https://www.alighting.cn/news/20100301/106392.htm2010/3/1 0:00:00
在刚刚落幕的第19届广州国际照明展览会上，晶能光电硅衬底GaN基大功率led芯片荣膺“阿拉丁神灯奖”十大产品奖，是目前为止国内唯一获奖的led芯片产品。
https://www.alighting.cn/news/2014620/n298263171.htm2014/6/20 13:58:42
单中包括aixtron的王牌产品-用于批量生产GaN led的crius ccs反应室和aix 2800g4 ht反应室系统，待明年这些设备安装完毕后，晶元的led产能将大大提
https://www.alighting.cn/news/20071024/120418.htm2007/10/24 0:00:00
发副总裁孙钱博士以《硅衬底GaN基高效led的最新进展》为主题，作了精彩分
https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了inGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
目前在led制程中，蓝宝石基板虽然受到来自si与GaN基板的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化（ps
https://www.alighting.cn/resource/20130816/125399.htm2013/8/16 11:56:41
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
通俗来讲，led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色 led等GaN类半导体材
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
