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硅衬底上gan基LED的研制进展

将光发射器与硅电子学集成起来,将加速和扩大氮化在光电子和微电子方面的应用。   一、用硅作gan LED衬底的优缺点   用硅作gan发光二极管(LED)衬底的优点主要在

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00

赵汉民推荐晶能光电参与2015阿拉丁神灯奖评选

产的高科技企业。公司硅衬底LED芯片创造性地使用硅代替蓝宝石或碳化硅作为衬底制造氮化LED器件,结合了具有自主知识产权的高效gan外延技术和芯片技术,是目前全球唯一可以量产硅衬

  http://blog.alighting.cn/207028/archive/2015/2/6/365492.html2015/2/6 10:18:24

LED外延的衬底材料有哪些

前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化研究的衬底材料比较多,但是能用于生产的衬底目前只有二种,即蓝宝石al2o3和碳

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00

LED照明与ul安规

期,出现了超亮度的氮化LED,随即又出现了能产生高强度绿光和蓝光的铟化LEDLED照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明灯具。在照明领域,LED发光产品的应用正吸引着世

  http://blog.alighting.cn/144149/archive/2012/6/18/278932.html2012/6/18 15:47:32

晶能光电宣布完成新一轮融资并开启全球发展计划

晶能光电首席执行官王敏博士在接受采访时谈到:“晶能光电的硅衬底氮化LED技术给我们提供了机遇,处于绿色革命产业的前沿,并很快成为LED全球市场主要的带头企业。晶能光电致力于le

  https://www.alighting.cn/news/20140710/110635.htm2014/7/10 10:10:54

LED显示屏的供电系统简介

LED显示屏的供电系统简要介绍。

  https://www.alighting.cn/resource/20080901/128952.htm2008/9/1 0:00:00

cree将无微管sic 衬底做到4英吋的长度

美国LED大厂cree日前宣佈,旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的sic衬底尺寸做到4英吋,约合10公分的长度,将有助于n-type型态的发展,也对氮化鎵(gan)

  https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00

LED芯片知识

5 的橙光LED,gaas0.14p0.86 的黃光 LED等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些LED为三元素发光管。而gan(氮化)的蓝光 LED 、gap 的绿

  http://blog.alighting.cn/131218/archive/2012/7/23/283142.html2012/7/23 22:26:43

LED芯片知识

5 的橙光LED,gaas0.14p0.86 的黃光 LED等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些LED为三元素发光管。而gan(氮化)的蓝光 LED 、gap 的绿

  http://blog.alighting.cn/143797/archive/2012/6/30/280489.html2012/6/30 8:43:14

cree与晶电签LED芯片专利交叉许可协议

款,双方将获得对方的氮化LED芯片专利许可,并授予对方部分非氮化LED芯片专利权。在协议期限,科锐将从晶电获得授权费和特许

  https://www.alighting.cn/news/20150805/131554.htm2015/8/5 10:26:56

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