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碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值。与汞灯紫外光源相比，基于氮化铝镓(algan)材料的深
https://www.alighting.cn/news/20131121/n235158444.htm2013/11/21 10:23:08
gan类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角？gan类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41
aixtron ag公司日前宣布，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（ciomp）订购了该公司两套mocvd系统，分别是aix 200/4和aix 200/4 rf-s。
https://www.alighting.cn/news/20090511/101732.htm2009/5/11 0:00:00
1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将gan芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。
https://www.alighting.cn/news/2010119/V22621.htm2010/1/19 9:09:36
密西根研究团队11月发表最新研究，发现将化学元素硼(boron)加入氮化铟镓 (ingan) 材料可以让LED半导体的中间层(middle layer)厚度变大，解决发光效率随
https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127604.htm2011/5/17 13:32:57
目前，全球有近200家公司和300多所大学以及研究机构从事氮化镓基LED的材料生长、器件制作工艺和相关装备制造的研究和开发工作，居于领先水平的公司主要有日本的nichia
https://www.alighting.cn/news/20070311/92238.htm2007/3/11 0:00:00
影响LED寿命的一个重要参数就是LED热阻。其数值越低，表示芯片中的热量传导到支架或铝基板上越快。这有利于降低芯片中pn结的温度，从而延长LED的寿命。
https://www.alighting.cn/2013/7/17 11:44:35
