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料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 ⑤algainn碳化硅（SiC）背面出光法。美国cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造algainn超高亮度led的厂家，几年
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦,发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。90年代中
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
3)?;硅 (si)碳化硅(SiC)[/url]蓝宝石衬底通常,gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
基蓝光激光器仅仅只有二十几年的时间。近年来，有关gan基材料和器件的研究及发展更是大大加速了。由于gan大尺寸体单晶生长极为困难，现在所有成熟的器件都是以蓝宝石或SiC异质衬底为基
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
s)，genelite,欧司朗(osram)，gelcore,首尔半导体等，普瑞，韩国安萤(epivalley)等。1、cree 着名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（SiC）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08
