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利用gcr170型脉冲激光器nd：yag 的三次谐波(355nm)，以蓝宝石al2o3(0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了ZnO 薄膜.通过原子力显微镜
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备ZnO薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的ZnO薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
阐述了ZnO薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原
https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19
利用pld方法沉积了si基ZnO薄膜，通过结构和电学特性的测量，研究了在o2气氛下退火温度对ZnO薄膜微结构的改善。研究得到：o2气氛下700℃退火，ZnO薄膜中出现施主深能级局
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:55:42
ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有很好的化学稳定性和热稳定性,抗辐射损伤能力强,在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸多领域有着很好的应用潜力。本文主要介绍制备ZnO薄
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:16:23
ZnO既是半导体材料又是压电材料，在nm尺度出现量子限域、小尺寸效应等新性质，使其成为低维结构研究领域的热门课题。本文对ZnO nw在发光二极管、太阳能电池、紫外激光器、纳米发电
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126146.htm2013/1/21 10:29:49
护装置，其选择型式、特性、额定电流及设定时所需之资料必须陈述。要由使用者提供在地基上的导管，其大小、目的、和位置必须详述。在机械与相关设备间要由使用者提供的导管，电缆槽或电缆支
http://blog.alighting.cn/sinwotest/archive/2013/1/17/308002.html2013/1/17 16:50:47
本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降低
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
本文为佛山中昊光电童存声先生所做关于《ZnO tcl技术提升gan-led发光效率》的一篇分享内容，文中涉及到led tcl技术，技术特点和优势以及这种技术面临的问题考验，现在分
https://www.alighting.cn/2013/1/16 17:12:42
要集中在 can基led外延材料与芯片、高效高亮度大功率led器件、led功能性照明产品、智能化照明系统及解决方案、创新照明应用及mocvd(金属有机物化学气相沉积设备)等重大装备开
http://blog.alighting.cn/56721/archive/2013/1/14/307625.html2013/1/14 11:34:38
