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光发射体。如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它改造成为有效的发光材料 ,甚至成为严格意义上的直接带隙材料 ,给实验研究工作者和材料设计理论工作者提出了挑
https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14
m，hall和pl对其进行研究。结果表明，在衬底温度为500℃时，生长的zno薄膜具有优良的晶体质量，电学性能和发光性
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
深圳大运会开(闭)幕式舞美灯光艺术总监，中国建筑艺术研究所副所长穆怀恂老师与参会者分享了大运会开幕式艺术创意与实施过程，并针对剧场建设存在的若干问题就场馆建设的科学定位、节能降耗
https://www.alighting.cn/resource/20111009/127030.htm2011/10/9 20:35:34
从2007 年的15.4%增至2014 年的21%。本文节选自姜军鹏先生《中国半导体照明品牌路线发展研
https://www.alighting.cn/2011/10/9 9:48:29
验,对inxga1-xn制备过程中的in组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的pl谱测量分析,得到了587℃~600℃的in组份最佳掺入温度区间
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
日亚化从2006年开始对亿光展开一连串控告行动后，亿光研发与专利团队就一直研究日亚化相关专利的有效性，陆续发现其主张的专利无效证据，台湾专利民事诉讼与行政诉讼分别在2010年7月
https://www.alighting.cn/news/2011915/n976934485.htm2011/9/15 10:20:12
简单介绍了目前国内大功率led芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90～100 lm/w之
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127157.htm2011/9/13 14:15:45
路的工作原理,结合阈值漂移模型仿真了电路在长时间工作下阈值漂移对驱动电流稳定性的影响,并提出了相应的解决办法。研究结果表明合理的像素电路设计可以有效改善驱动电流的稳定
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127159.htm2011/9/13 14:02:15
日本东京大学尖端科学技术研究中心教授濑川浩司的研发小组及其合作厂商，用色素增感型太阳能电池(dssc：dye-sensitized solar cell)、led及镍氢充电电
https://www.alighting.cn/resource/20110910/127165.htm2011/9/10 17:04:45
