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2se、sih4。(5)、目前原料的利用率较低,毒性较大,因此增加了外延层的制造成本。[国外概况]mocvd是由美国洛克威尔公司的h.m. manasevit等在1968年首先提
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用的高质量的sic衬底的厂家只有美国cree公司。国内外sic衬底今后研发的任务是大幅度降低制造成本和提高晶体结晶质量。4)si衬底在硅衬底上制备发光二极管是本领域里梦寐以求的一
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止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。国际上mocvd设备制造商主要有三家：德
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光效率高、体积孝重量轻、环保安全可靠等优点以外,还有一个显著优点就是由于led启动电压和工作电压一致,所以不需使用镇流器。这样在节省成本和能耗的同时,也大大缩短了通断电的响应时间。3
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led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积小,成
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加上照明用led制造成本的大幅下降,所以照明用白光led已具备应用到一些照明领域的商用条件。但是,由于我国从计划经济时代以来很多年的产业结构分布所造成的局面,使得目前制造照明led的产
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圆均匀性不够。发展趋势是 两个方向：一是开发可一次在反应室中装入更多个衬底晶圆生长,更加适合于规模化生产的技术,以降低成本；另外一个方向是高度自动化的可重复性的单片设备。2.氢化物
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灯的半衰期(此处的半衰期指的是有一半数量的灯失效的时间)典型值是10万到数千小时不等,具体时间取决于灯的额定工作电流。表面贴装led为了利用自动化组装技术降低制造成本,从20世纪8
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块pcb板上产品的个数尽可能的设计多点,这样有利于降低单个产品的成本。又由于压模成型后胶体会收缩,pcb板易产生形变,因此pcb板在设计时又要考虑每组片式led数量不能过多,但组数可
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．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。当前用于gan基led的衬底材料比较多,但是能用于商品化的
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