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装企业都是通过在封装前的镜检与封装后的分检来保证led封装质量。封装前的镜检即在封装前对用显微镜对原材料芯片进行人工外观检查,观察芯片材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑、芯片尺寸及电
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国能效标识•加州能效 •eup•其它rohs•材料成分分析•rohs四项：总铅(pb)、铬(cr6+)、镉(cd)、汞(hg)•rohs六项：总铅(pb)、铬(cr6+)、镉(c
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230103.html2011/7/18 23:47:00
零,说明内部击穿短路。若正、反向电阻均为无穷大,证明内部开路。需要说明两点：第一,对於同种材料的管芯,由於所掺杂质的不同,发光??色亦不同；第二, led 属於电流控制型器件, v
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230099.html2011/7/18 23:45:00
与alingap两种led用的半导体材料,在各尖峰波长(光色)下的外部量子化效率图,虽然最理想下可逼近40％,但若再将光取效率列入考虑,实际上都在15％;25％间,何况两种材料在更高效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230092.html2011/7/18 23:40:00
一、前言GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与sic、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代ge、si半导
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
型led封装技术主要应满足以下两点要求：①封装结构要有高的取光效率；②热阻要尽可能低,这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技
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时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程,结果使材料利用率降低、成本增加。由于p型GaN掺杂困难,当前普遍采用在p型GaN上制备金属透明电极的方法,使电流扩散,以达到均匀发光的目
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个应用领域的实际需求,led的测试需要包含多方面的内容,包括：电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等。1、电特性led是一个由半导体无机材料构成的单极性pn结二极
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然的不同了；封装工艺和封装材料的不同,使得整体的散热能力是不一样的,还有组合材料的热彭胀与散热的问题等。由此不难看出,led发光二极管在短期内仍存在个体之间的很大的差异,如果每个灯只
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镓铝砷(gaalas)或砷化镓(gaas)、氮化镓(GaN)等材料组成,其内部结构具有单向导电性。3)、晶片的结构：焊单线正极性(p/n结构)晶片,双线晶片。晶片的尺寸单位：mi
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