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iesna lm-79-08产品的光电测量方法法适用于基于led 的控制电路和散热器的ssl 产品，即这些设备只需要ac 或dc 电源即可运行。本文件不适用于需要外部运行电路或外
https://www.alighting.cn/news/20110930/110066.htm2011/9/30 18:25:42
计必要的设备和灯具规
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/30/153627_91.htm2011/9/30 15:36:27
led设备企业面临着怎样的发展机遇与挑战?led刻蚀设备市场现状与未来发展趋势又是怎样……这些都引起了行业人士的广泛关注。为此，新世纪led网记者特邀北方微电子公司市场营销总监纪
https://www.alighting.cn/news/20110930/85671.htm2011/9/30 15:25:48
x 2.9mmx 1mm)，为日益小型化的移动设备的高密度封装作出了巨大贡
https://www.alighting.cn/news/2011930/n218934828.htm2011/9/30 13:28:03
新成立的半导体设备与材料协会下属的半导体照明产业集团将集中关注材料，设备以及生产相关的问题，通过降低成本，提高质量，开发供应链以及加速产业发展来进一步促进该产业的全面发展。
https://www.alighting.cn/news/20110930/100205.htm2011/9/30 11:30:35
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃时获
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验,
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
近日，国际半导体设备与材料协会(semi)印度分会宣布印度成立高亮度发光二极管和半导体照明产业集团(india ssl special interest group)。
https://www.alighting.cn/news/2011930/n790334812.htm2011/9/30 9:05:44
微半导体设备有限公司并与公司领导层座
https://www.alighting.cn/news/20110929/114744.htm2011/9/29 9:59:13
建议国家在支持led技术与产业发展中，把材料与工艺设备作为发展的基础和原动力加以支持。在发展led技术与产业的过程中，建议我国走“引进、消化、吸收、创新、提高”的道路。具体方案如
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/9/28/241719.html2011/9/28 21:35:55
