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新成立的半导体设备与材料协会下属的半导体照明产业集团将集中关注材料，设备以及生产相关的问题，通过降低成本，提高质量，开发供应链以及加速产业发展来进一步促进该产业的全面发展。
https://www.alighting.cn/news/20110930/100205.htm2011/9/30 11:30:35
研究了三氧化钼(moo3)薄层作为有机电致发光器件空穴注入层的器件性能和注入机制。发现1nm厚度下发光器件性能最佳,器件的最大电流效率比对比发光器件的最大电流效率提高1.6倍。器
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127047.htm2011/9/30 11:19:54
时获得了p型zno薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64ω.cm,迁移率为0.838cm2/(v.s).霍尔测试和低温光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
近日，国际半导体设备与材料协会(semi)印度分会宣布印度成立高亮度发光二极管和半导体照明产业集团(india ssl special interest group)。
https://www.alighting.cn/news/2011930/n790334812.htm2011/9/30 9:05:44
9月23日，在“海峡两岸led产业科技成果发布会”上，福建省光电行业协会与台湾led路灯产业联盟共同制定的《道路照明用发光二极管》和《大功率路灯》两个互认标准共同发布，双方还签
https://www.alighting.cn/news/2011930/n609634808.htm2011/9/30 8:32:04
二次光学设计目的是为了改变led发光角和光强分布以满足灯具应用需求。本文介绍led处级光学，led二次光学， 基本光学类型，反射镜，溢出角计算，led透镜的材料种，光学模型和模
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/29/163340_15.htm2011/9/29 16:33:40
采用高温固相法合成了lisrpo4:tb3+发光材料,测定了荧光粉的激发光谱和发射光谱,该荧光粉的激发主峰位于330～390nm,属于4f→4f电子跃迁吸收,与uvled管芯相匹
https://www.alighting.cn/2011/9/29 14:12:32
节能减排、照明节能是国内外共同关注的焦点。该文针对第三代照明光源led的优缺点,探讨了其在照明领域运用和发展需要解决的主要技术问题,以及面对目前全球金融危机,led照明企业发展面临
https://www.alighting.cn/2011/9/29 13:50:42
氮化镓led是一种新型led发光装置，其特点在于光效高，在led电视以及其他照明产品中应用广泛。
https://www.alighting.cn/news/20110929/100434.htm2011/9/29 9:25:40
品，具有亮度高、光衰小、稳定性好等优势，并可自动调低深夜发光功率，进一步提高节能效率，寿命达到5—10万小时，有效节电60%以上。 2009年，佛山市禅城区启动了城区道路照明led路
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/9/28/241720.html2011/9/28 22:09:48
