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到70mA、100mA甚至1A级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表
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示。图1中,微处理器是Atmel公司生产的At91m42800A，它采用基于Arm7tdmi内核的高性能32位risc架构的处理器,有着丰富的外围接口资源。At91m42800A有
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n结构成的。高亮度led与标准led的差别在于它们的输出功率。传统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内，而高亮度led可达1-5瓦。图1显示了hi-led内部电压与电流的典型关
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流=vsense/r1=34mv/50m(=680mA，这里r1就是rsense。ton=ipeAkxl1/vl1在上述等式中，近似认为在整个电流上升与下降期间led正向压降不变。事
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k h77胶作为陶瓷盖与衬底陶瓷基片装配的粘接剂，该胶具有适宜粘度和良好的工艺加工特性，经粘接和1 50℃、45min固化后形成粘接强度大、密封性好的淡黄色粘接层。因jgsl窗口玻
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式控制简化了控制到输出的转换功能。电压调节器和电流调节器的性能都可以借助如下的功率级转换方程进行预测：公式中电压调节器和电流调节器的不同，可以参考下面的图1A和1b。dc增益(左边
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230327.html2011/7/20 0:10:00
一个通道异相180°，因而使得两个通道的输出纹波均有所减小。每个通道均独立地在一个50mA至1.5A的宽电流范围内保持了很高的输出电流准确度，而独特的truecolorpwmtm电
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元。doe预计，在不超过10年间，固态照明的效率将达到150lm/w(流明/瓦)，相当于白炽灯效率的10～12倍、紧凑型荧光灯的2倍。如果以这样的效率计算，假设将50%的照明灯具换
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式相对简单，但不适合多位并列显示的情况。ied数码管的段码排列如图1所示。其编码顺序为A b c d e f g dp。本文设计的led显示控制ip核是一个led数码管扫描显示控
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般的材料构造是属于固定构造，所以材料本身会具有的一定的折射率。图一A是说明波数（wAve number）与频率对于一般材料折射率的影响，横轴是物质的波数（wAve number）、纵
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