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过去lED业者为了获利充分的白光 lED 光束，曾经开发大尺寸 lED 芯片试图藉此方式达成预期目标，不过实际上白光 lED 的施加电力持续超过 1w 以上时光束反而会下降，发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258600.html2011/12/19 11:02:21
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258599.html2011/12/19 11:02:15
v背光源，颇有逐步取代ccfl背光源的架势。主要是lED在色彩、亮度、寿命、耗电度及环保诉求等均比传统冷阴极管（ccfl）更具优势，因而吸引业者积极投入。 早期单芯片le d的功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258595.html2011/12/19 11:02:07
关重要。一般来说，lED的人体静电模式测试失效电压不应低于2000v。3、 衰减特性 红、绿、蓝lED均具有随着工作时间的增加而亮度衰减的特性。lED芯片的优劣、辅助物料的好坏及封
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258590.html2011/12/19 11:01:57
摘 要:用同种ｇａｎ基lED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基lED芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38
带一lED，依次为am，pm，及4个秒闪烁lED。74hc595的每个输出脚低电平具有25ma的段动能力，可驱动约3英寸以下的共阳lED字符；对于大型/特大型字符，驱动芯片改用tpic
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258581.html2011/12/19 11:01:26
近驱动器的位置。此外，电流设定电阻(rfb)应该直接连接至芯片的接地，因为内部参考和检测电压之间的错误会直接影响lED电流精确度。 4. 在真实环境下测您的试产品 考虑显示屏在外
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258580.html2011/12/19 11:01:23
光。这是因为当芯片是以高电流来驱动时，所产生的高热会造成铜 导线框（lead-frame）从原先封装好的位置迁移。因此在芯片与导线框间存在着tce的不协调性，这种不协调性是对lED可
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258579.html2011/12/19 11:01:19
进参考。1.)lED芯片&封装组件发光效率关键技术指针：首要之lED芯片&封装组件关键技术美、日厂商均已量产突破发光效率100~120 lm/w以上，超越传统最高效
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258578.html2011/12/19 11:01:16
在发现电子发光机理的十年后,有机发光二极管(olED)技术最终商用在手机,mp3和数码相机中。按display search的数据报告, 从2001年第一颗单芯片olED驱动器
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