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进参考。1.)LEd芯片&封装组件发光效率关键技术指针：首要之LEd芯片&封装组件关键技术美、日厂商均已量产突破发光效率100~120 lm/w以上，超越传统最高效
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232810.html2011/8/19 0:17:00
t）的进阶封装方式，以有效发挥LEd的照明效益。高亮度LEd（high-brightness light emitting diodes；hb LEd）的出现，在照明产业中掀起了一股狂
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232808.html2011/8/19 0:16:00
2倍依次提高输出电压。实现1.33倍升压的常规方法需要增加器件引脚和外部元件的数量，相应地，需要更多引脚的封装和更大面积的印刷电路板空间，这使整个解决方案的成本远高于只有三种运行模
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232803.html2011/8/19 0:06:00
关重要。一般来说，LEd的人体静电模式测试失效电压不应低于2000v。3、 衰减特性 红、绿、蓝LEd均具有随着工作时间的增加而亮度衰减的特性。LEd芯片的优劣、辅助物料的好坏及封
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232798.html2011/8/19 0:03:00
余80至85%则转换成热，若这些热未适时排出至外界，那么将会使LEd晶粒界面温度过高而影响发光效率及发光寿命。 LEd发展 散热是关键 随着LEd材料及封装技术的不断演进，促使LE
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/18/232792.html2011/8/18 23:48:00
足实用化的要求，但技术的优势还没有发挥出来，在材料、彩色化、大尺寸、柔软显示 ic 、封装和生产工艺等方面都还有改进的余地。从长远来看， oLEd 未来的发展将沿着小尺寸、中尺寸、
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/18/232790.html2011/8/18 23:40:00
本文根据cob封装的结构特点，分析了cob封装LEd光源的光路及影响cob封装取光效率的主要因素。针对关键的几个要素，进行了结构光学优化设计，并通过光学模拟和试验验证探讨了提
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127294.htm2011/8/18 17:46:48
LEd封装方式是以晶粒(die)藉由打线、共晶或覆晶封装技术与其散热基板submount(次黏着技术)连结而成LEd晶片，再将晶片固定于系统板上连结成灯源模组。
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127295.htm2011/8/18 16:47:54
过去LEd只能拿来做为状态指示灯的时代，其封装散热从来就不是问题，但近年来LEd的亮度、功率皆积极提升，并开始用于背光与电子照明等应用后，LEd的封装散热问题已悄然浮现。
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127297.htm2011/8/18 14:47:10
采用金属晶片键合的方式实现LEd散热是目前一种比较常见的方式，利用低热阻的金属实现热传导。晶片键合最早开始于二十多年前mems功率器件的封装，开始采用胶将晶片粘合，现在已经被金属
https://www.alighting.cn/news/20110818/102336.htm2011/8/18 11:30:20
