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d分析结果显示,sr3al2o6-3x/2nx与sr3al2o6的晶体结构相
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:54:56
esd耐受电压是反映led芯片性能的一项重要指标，可用于评估led在封装和应用过程中可能被静电损坏的几率，是目前led研究和研发的前沿问题之一。本文分析了晶体质量及芯片结构对le
https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gan薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的gan基led的结构和工作原理，以及为改善gan基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机制
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
mocvd技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，mocvd仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，mocvd技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带来
https://www.alighting.cn/resource/20130228/125982.htm2013/2/28 10:33:06
led显示屏应用已经非常普遍，简单的有发光二极管和液态晶体lcd结构组成，上海三穗就来和大家谈谈led显示屏的质量控制如何控制的问题。 做好led显示屏的质量主要是做好八个方
https://www.alighting.cn/2013/2/25 14:03:45
利用order-n算法及超晶格技术讨论了位置无序及尺寸无序对石墨点阵柱状光子晶体光子带隙的影响·计算结果表明,对于电场偏振模,光子带隙对尺寸无序更加敏感·在此基础上,利用三维时
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量5
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
