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安森美半导体(on semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-si)功率器件。
https://www.alighting.cn/news/20121010/113599.htm2012/10/10 11:35:07
世界领先的电子及能源产业的半导体材料生产和制造商soitec与照明行业的材料、设备和系统供应商重庆四联光电科技有限公司就共同使用hvpe制造氮化镓(GaN)达成了协议。
https://www.alighting.cn/news/20120711/113188.htm2012/7/11 10:12:51
本文为《标准GaN外延生长流程》以图文结合的方式阐述了GaN基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
英国普莱思半导体(plessey)宣布推出新一代硅基氮化镓led。型号为plw114050，目前正在出样，这是plessey该系列中首款入门级led照明产品。plessey提供被
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29
据爱思强称，剑桥大学该套6x2英寸的ccs系统将配置为可以处理一片6英寸(150毫米)的晶片，实现在6英寸硅晶片上生长氮化镓外延，继续推进剑桥大学在led和电子设备方面的研发和实
https://www.alighting.cn/news/20130424/113313.htm2013/4/24 10:21:23
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
6月10日，在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报
https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40
元以上。另值得关注的是，普瑞光电矽基氮化镓led将于明年正式启动委外量产，此新技术对未来led产业的影响性，各界亦格外关
https://www.alighting.cn/news/20120405/85479.htm2012/4/5 10:27:11
目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在GaN on GaN技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术，技术面皆已突破现今GaN o
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
