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日前，比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap：industrial affiliation program)，目标是降低氮化鎵(gan)技术成本，采用大直径的硅
https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00
日前，苏州新纳晶光电有限公司宣布首批“氮化镓led外延片”等产品批量试制成功。“氮化镓led外延片”是以氮化镓为原料采用纳米技术制成，厚度仅几微米，每个“玻璃片”可切割成2万个
https://www.alighting.cn/pingce/20111115/122867.htm2011/11/15 13:57:59
这次kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米，导电能力得到极大提高，电阻率比他们以前的n型氮化镓衬底低两个数量级。此外，kyma也成功开发了高掺杂n+
https://www.alighting.cn/news/20110808/115929.htm2011/8/8 10:45:12
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
比利时纳米电子研究中心imec与veeco正在进行项目合作，旨在降低生产硅基氮化镓(gan-on-si)功率器件和led的成本。
https://www.alighting.cn/news/20130905/111899.htm2013/9/5 9:35:43
美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布，其位于南韩天安(cheonan)的三甲基镓(tmg)新厂已
https://www.alighting.cn/news/20101104/107836.htm2010/11/4 0:00:00
2月15日，中国科学院半导体所创新项目“氮化镓基倒装结构功率型半导体发光二极管(led)及关键技术”通过成果鉴定。
https://www.alighting.cn/news/200725/V136.htm2007/2/5 11:37:38
据爱思强称，剑桥大学该套6x2英寸的ccs系统将配置为可以处理一片6英寸(150毫米)的晶片，实现在6英寸硅晶片上生长氮化镓外延，继续推进剑桥大学在led和电子设备方面的研发和实
https://www.alighting.cn/news/20130424/113313.htm2013/4/24 10:21:23
功表明azzurro的技术有能力做出‘1 bin’硅基氮化镓led晶
https://www.alighting.cn/pingce/20130904/121716.htm2013/9/4 10:21:19
这些新设备均支持2英寸、4英寸、6英寸以及8英寸晶圆生长。现有的max bright和k465i设备都能很容易地现场升级到高性能版。所有veeco的mocvd设备都拥有维护需求低的
https://www.alighting.cn/pingce/20120628/122456.htm2012/6/28 11:04:57
