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捷佳伟创与中大研发出国内首台量产型znomocvd

近日,广东深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司,成功开发了国内首台专用于大规模高质量zno半导体透明导电薄膜材料生长的量产型mocvd设备。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130114/121974.htm2013/1/14 9:54:10

东芝发布硅氮化led产品规格书

新型硅上氮化(gan-on-si)几款产品的规格书都给出的是350ma驱动电流下的测试数据。在典型正向电压为2.9v时,色温5000k,显色指数为70的tl1f1-nw0,l光

  https://www.alighting.cn/pingce/20130105/121950.htm2013/1/5 9:36:01

东芝宣布硅白光led封装产品开始量产

led芯片的生产通常是使用昂贵的蓝宝石片在2至4英寸的晶圆上完成。东芝与bridgelux, inc.已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化led的工艺,而东芝目前已将

  https://www.alighting.cn/pingce/20121217/121992.htm2012/12/17 9:42:51

友达发表65寸4k2k igzo液晶屏技术

友达光电,日前发表65寸4k2k igzo超高解析液晶电视屏技术,采用氧化铟锌(igzo)制程,实现3840x2160相当于四倍full hd的高精细化分辨率(ultra h

  https://www.alighting.cn/pingce/20121030/122403.htm2012/10/30 9:42:35

intematix新型红色氮化物荧光粉提供更高性能

业界知名高质量led照明用专利荧光粉及荧光粉器件革新厂商intematix,近日发布了红色氮化物荧光粉ruby系列,可帮助高功率led实现更高的光效、演色性和可靠性。这些独特的荧

  https://www.alighting.cn/pingce/20121019/122245.htm2012/10/19 11:48:23

中国科学院突破高效led芯片及材料关键技术

中国科学院在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术,实现了150lm/w以上的led高效发光;成功制备了中国首个300n

  https://www.alighting.cn/pingce/20120917/123060.htm2012/9/17 10:00:36

aixtron推出新款aix g5+矽氮化mocvd设备

aixtron近日推出最新产品aix g5+,为其aix g5行星式反应器平台提供5x200 mm(8吋) 矽氮化生长专用设备,可一次处理5片8吋晶圆。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120725/122453.htm2012/7/25 9:45:19

科锐升级供gan-on-sic hemt器件的工艺设计套件

计自动化工具),以实现科锐碳化硅衬底氮化 mmic 加工性

  https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18

科锐推出突破性gan固态放大器平台

tom dekker 表示:“与同频率范围的 gaas 电晶体相比,科锐0.25微米gan hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综

  https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27

veeco推出三款新系列氮化mocvd设备

这些新设备均支持2英寸、4英寸、6英寸以及8英寸晶圆生长。现有的max bright和k465i设备都能很容易地现场升级到高性能版。所有veeco的mocvd设备都拥有维护需求低的

  https://www.alighting.cn/pingce/20120628/122456.htm2012/6/28 11:04:57

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