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基于有限元分析法的激光剥离技术中gan材料瞬态温度场研究

尽管随着对gan材料发光机理的深入研究,gan基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高,但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00

电极耦合层对gan基蓝光led出光特性的影响

通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的投射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高gan基蓝光led

  https://www.alighting.cn/2014/12/2 11:12:13

基于led应用的分布布拉格反射器

从材料体系、结构设计和降低串电阻方法等方面系统阐述了分布布拉格反射器(dbr) 在发光二极管(led)器件中的发展情况,并对分布dbr 的发展提出了几点研究意见。

  https://www.alighting.cn/2014/7/9 15:01:20

激光剥离技术实现垂直结构gan基led

为改善gan 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝石

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

led简介及其封装材料概论

出自台湾地区的一份关于介绍《led简介及其封装材料概论》的技术资料,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/10/30 13:41:48

半导体照明led封装技术与可靠性

一份由深圳市量光电有限公司的裴小明/技术总监所整理主讲的关于《半导体照明led封装技术与可靠性》的讲义资料,现在分享给大家,欢迎大家下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/resource/20130417/125708.htm2013/4/17 14:54:21

硅衬底gan基led外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外延

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

led原料技术之有机发光材料的选用

oled,即有机发光二极管(organic light-emitting diode),又称为有机电激光显示(organic electroluminesence display,

  https://www.alighting.cn/resource/20130222/126023.htm2013/2/22 11:31:57

散热塑料在led筒灯/球泡的应用

随着科学技术和生产的发展,许多产品对导热材料提出了更高要求,希望其具有更加优良的综合性能,质轻、耐化学腐蚀性强、电绝缘性优异、耐冲击、加工成型简便等。导热绝缘聚合物复合材料因其优异

  https://www.alighting.cn/resource/20120827/126439.htm2012/8/27 14:53:19

热特性表征中的工艺现状分析

本文讲述关于热特性表征中的工艺分析,按照jesd51-14和cie127-2007的规定,利用jedec标准静态试验进行瞬态温度测量提高了发光二极管(led)热特性测量的精确性。这

  https://www.alighting.cn/2011/12/16 13:39:56

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