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提高内量子效率要从led的制造材料、pn结外延生长工艺以及led发光层的出光方式上加以研究才可能提高led的nint，这方面经过科技界的不懈努力，已有显着提高，从早期的百分之几
https://www.alighting.cn/2012/11/16 10:46:27
冶炭纳米科技公司展现纳米研发实力，推出纳米导热胶专利产品，其导热能力比起一般传统导热胶效率提升了40％以上；冶炭纳米导热胶最大特色在于不导电、抗氧化、不变形等特性，可提供长期稳
https://www.alighting.cn/resource/20091027/128747.htm2009/10/27 0:00:00
本文依据woleds高效率、高亮度、高显色性、长寿命的实用条件，详细解释了器件效率，色纯度，相关色温和器件寿命等性能评价标准。
https://www.alighting.cn/2014/8/26 10:31:06
在led的pn结上施加正向电压时，pn结会有电流流过。电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子，然而并不是每一对电子和空穴都会产生光子，由于led的pn结作为杂质半导体，存在着材料
https://www.alighting.cn/2011/11/18 16:34:31
研究结果表明：采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。
https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03
结合目前led白光生成技术,通过理论和实践研究对如何提高白光led的发光效率、显色性做出全面的论述,进一步推进了功率型led在照明应用中所要解决难点问题。
https://www.alighting.cn/resource/20110506/127648.htm2011/5/6 17:50:21
提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高gan基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构
https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
随着led芯片技术和封装技术的发展，顺应照明领域对高光通量led产品的需求，功率型led逐步走入市场。这种功率型的led一般是将发光芯片放在散热热沉上，上面装配光学透镜以达到一
https://www.alighting.cn/2014/4/15 9:59:16
功率型led封装技术主要应满足以下两点要求：一是封装结构要有高的取光效率，其二是热阻要尽可能低，这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。
https://www.alighting.cn/resource/20081013/V17542.htm2008/10/13 11:04:33
