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科锐推出封装型1700v碳化肖特二极管

科锐公司日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化肖特二极管技术条件下,该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120206/122771.htm2012/2/6 10:01:21

未来5年led衬底将成氮化衬底的天下

随着氮化的规模量产和价格的下降,以及led外延技术的不断发展,当将芯片电流密度提高到5~10倍时,氮化在led上运用的优势会比蓝宝石明显很多,这是大家看好的未来的一个发展方

  https://www.alighting.cn/news/20120514/89284.htm2012/5/14 10:29:49

雷军看好的氮化技术,三安、华灿、国星等都在做

手机大厂的表态,带动了国内相关的led企业。就在小米发布会结束的第二天,三安光电盘中上涨超7%、士兰微盘中上涨超8%。事实上,关于氮化,三安、华灿、士兰微、国星等led大厂早

  https://www.alighting.cn/news/20200303/166851.htm2020/3/3 10:38:00

塞伦光电发布半极化氮化/蓝宝石复合衬底

现在市场上广泛使用的极化(c 平面)氮化材料具有很强的自发压电极化特性,这一点是许多器件性能问题的主要原因,比如内部量子效率的减小,阱厚度的限制,高的正向电压,载流子的溢出等

  https://www.alighting.cn/pingce/20130926/121903.htm2013/9/26 15:36:04

比利时采用硅氮化鎵开发大功率白光led

日前,比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap:industrial affiliation program),目标是降低氮化鎵(gan)技术成本,采用大直径的硅

  https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00

新纳晶光电首批“氮化led外延片”批量试制成功

日前,苏州新纳晶光电有限公司宣布首批“氮化led外延片”等产品批量试制成功。“氮化led外延片”是以氮化为原料采用纳米技术制成,厚度仅几微米,每个“玻璃片”可切割成2万个

  https://www.alighting.cn/pingce/20111115/122867.htm2011/11/15 13:57:59

kyma公司推高掺杂的n+型氮化体单晶衬底

这次kyma新研制的高掺杂n+型氮化衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米,导电能力得到极大提高,电阻率比他们以前的n型氮化衬底低两个数量级。此外,kyma也成功开发了高掺杂n+

  https://www.alighting.cn/news/20110808/115929.htm2011/8/8 10:45:12

gan氮化(gallium nitride)

(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和

  https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42

imec与veeco合作可降低gan-on-si生产成本项目

比利时纳米电子研究中心imec与veeco正在进行项目合作,旨在降低生产硅氮化(gan-on-si)功率器件和led的成本。

  https://www.alighting.cn/news/20130905/111899.htm2013/9/5 9:35:43

陶氏化学于韩国设的三甲(tmg)新厂动工兴建

美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布,其位于南韩天安(cheonan)的三甲(tmg)新厂已

  https://www.alighting.cn/news/20101104/107836.htm2010/11/4 0:00:00

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