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科锐公司日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化矽肖特基二极管技术条件下，该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。
https://www.alighting.cn/pingce/20120206/122771.htm2012/2/6 10:01:21
随着氮化镓的规模量产和价格的下降，以及led外延技术的不断发展，当将芯片电流密度提高到5～10倍时，氮化镓在led上运用的优势会比蓝宝石明显很多，这是大家看好的未来的一个发展方
https://www.alighting.cn/news/20120514/89284.htm2012/5/14 10:29:49
现在市场上广泛使用的极化(c 平面)氮化镓材料具有很强的自发压电极化特性，这一点是许多器件性能问题的主要原因，比如内部量子效率的减小，阱厚度的限制，高的正向电压，载流子的溢出等
https://www.alighting.cn/pingce/20130926/121903.htm2013/9/26 15:36:04
手机大厂的表态，带动了国内相关的led企业。就在小米发布会结束的第二天，三安光电盘中上涨超7%、士兰微盘中上涨超8%。事实上，关于氮化镓，三安、华灿、士兰微、国星等led大厂早
https://www.alighting.cn/news/20200303/166851.htm2020/3/3 10:38:00
日前，比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap：industrial affiliation program)，目标是降低氮化鎵(gan)技术成本，采用大直径的硅
https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00
日前，苏州新纳晶光电有限公司宣布首批“氮化镓led外延片”等产品批量试制成功。“氮化镓led外延片”是以氮化镓为原料采用纳米技术制成，厚度仅几微米，每个“玻璃片”可切割成2万个
https://www.alighting.cn/pingce/20111115/122867.htm2011/11/15 13:57:59
这次kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米，导电能力得到极大提高，电阻率比他们以前的n型氮化镓衬底低两个数量级。此外，kyma也成功开发了高掺杂n+
https://www.alighting.cn/news/20110808/115929.htm2011/8/8 10:45:12
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
比利时纳米电子研究中心imec与veeco正在进行项目合作，旨在降低生产硅基氮化镓(gan-on-si)功率器件和led的成本。
https://www.alighting.cn/news/20130905/111899.htm2013/9/5 9:35:43
美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布，其位于南韩天安(cheonan)的三甲基镓(tmg)新厂已
https://www.alighting.cn/news/20101104/107836.htm2010/11/4 0:00:00
