检索首页
阿拉丁已为您找到约 3691条相关结果 (用时 0.0103108 秒)

东芝发布氮化镓led产品规格书

新型上氮化镓(gan-on-si)几款产品的规格书都给出的是350ma驱动电流下的测试数据。在典型正向电压为2.9v时,色温5000k,显色指数为70的tl1f1-nw0,l光

  https://www.alighting.cn/pingce/20130105/121950.htm2013/1/5 9:36:01

陈振:衬底ganled最新进展

决方案:不同的衬底材料。其中,衬底被业界寄予了很高的厚望,不少大厂也在跃跃欲试,但仍然鲜有实质性的进展,并且在去年曾有媒体报道指出,衬底将“胎死腹中

  https://www.alighting.cn/news/20141216/85340.htm2014/12/16 11:15:29

德国成功使纳米晶体led发光

纳米级晶体具有发光潜能,德国kit和多伦多大学的科学家成功地采用这些晶体生产出led(sileds)。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130306/121868.htm2013/3/6 16:16:32

gan能否战胜蓝宝石

在si板上形成的led应该比蓝宝石板led便宜得多。晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆,今后这一情况也仍将继续,因此使用gan板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25

打破日、美技术垄断 “衬底”受热捧事出有因?

近日记者获悉,2015年度国家科学技术发明一等奖有望花落“衬底高光效gan蓝色发光二极管”项目。

  https://www.alighting.cn/news/20151229/135757.htm2015/12/29 9:39:53

imec与veeco合作可降低gan-on-si生产成本项目

比利时纳米电子研究中心imec与veeco正在进行项目合作,旨在降低生产氮化镓(gan-on-si)功率器件和led的成本。

  https://www.alighting.cn/news/20130905/111899.htm2013/9/5 9:35:43

带有tsv的大功率led封装技术研究

介绍了一种带有凹槽和通孔(throughsiliconvia,tsv)的制备以及晶圆级白光led 的封装方法。针对大功率led 的封装结构建立了热传导模型,并通过有限

  https://www.alighting.cn/2014/7/24 9:53:19

氮化镓在大功率led的研发及产业化

6月10日,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报

  https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40

新型通孔衬底ganled结构的电流扩展分析

为了降低si衬底ganled的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二级管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。

  https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10

衬底 中国led产业下一个突破口?

尘埃落定,2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓,一直饱受争议的“衬底高光效gan蓝色发光二极管”项目(简称衬底)摘得了此桂冠。这也意味着衬底的技术瓶颈几近突

  https://www.alighting.cn/special/20160108/index.html2016/1/8 16:06:29

首页 上一页 4 5 6 7 8 9 10 11 下一页