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据山西省长治市发改委消息，年产3000万颗紫外led芯片的中科潞安深紫外led项目近日正式投产。这是全球首条大功率量产化紫外led芯片生产线……
https://www.alighting.cn/news/20190718/163547.htm2019/7/18 17:29:22
来自电子、微电子及纳米技术研究院 （iemn）的最新结果显示，allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。
https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29
硅基gan衬底面临一些技术挑战。gan和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力，这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
在“2013新世纪led高峰论坛”技术峰会iii“外延芯片技术及设备材料最新趋势”专题分会上，晶能光电(江西)有限公司硅基led研发副总裁孙钱博士就“硅基氮化镓大功率led的研发
https://www.alighting.cn/news/20130610/88293.htm2013/6/10 14:48:59
为了获得大功率led器件，有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下。
https://www.alighting.cn/resource/20131025/125196.htm2013/10/25 10:31:08
国星光电发布公告宣布其牵头承担的“硅基algan垂直结构近紫外大功率led外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色micro-led显示与超高亮度微显示技术研究”项目获
https://www.alighting.cn/news/20190711/163479.htm2019/7/11 9:45:29
大功率led器件的生产，需要制备合适的大功率led芯片，本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37
采钰科技股份有限公司(visera technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属之8寸外延片级led硅基封装技术，并以此项技术提供高功率led之封装代工服
https://www.alighting.cn/news/20090917/94618.htm2009/9/17 0:00:00
近日，依托南昌大学、晶能光电的国家硅基半导体照明工程技术研究中心获科技部批准组建。该中心组建期为3年，将获得国家拨款1400万元。至此，江西省国家工程技术研究中心增至5家。
https://www.alighting.cn/news/20110331/100815.htm2011/3/31 9:22:45
2015年12月17日，由南昌大学承担的国家科技支撑计划项目“硅基高亮绿光led研发”在南昌顺利通过结题验收。科技部高新司材料处、科技部资管司研发二处、科技部高技术中心材料处的有
https://www.alighting.cn/news/20160118/136491.htm2016/1/18 10:22:32
