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由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
美国led大厂bridgelux(普瑞光电)运用“氮化镓上矽”(gan-on-silicon)的led技术，已达成每瓦135流明之效能。这使得bridgelux在矽半导体基板le
https://www.alighting.cn/news/20110328/117081.htm2011/3/28 10:58:47
日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石基板上生长的高质量氮化镓(gan)单晶薄膜的gan模板全新量产技术，并已开始销售。通过将该产品用作“白色led外延片”的底层基板，可以大幅提
https://www.alighting.cn/news/2013510/n857651594.htm2013/5/10 10:52:50
2000年韩国制定了“氮化镓半导体开发计划”，成立光产业振兴会(kapid)，负责计划的组织与实施。2000-2008年政府计划投入4.72亿美元，企业投入7.36亿美元。
https://www.alighting.cn/news/20070803/101059.htm2007/8/3 0:00:00
传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
北美战略分析部门一负责人在谈到2013-2023年的氮化镓发展趋势中称，10年期间，相关的半导体和其他器件市场将从12亿美元上涨到21亿美元，其中氮化镓的技术逐渐成熟，复合增长
https://www.alighting.cn/news/20141224/86692.htm2014/12/24 9:39:39
欧司朗光电半导体德国总部项目经理 peter stauss 博士指出：“我们多年的研发投入终于有了回报：不仅成功地提升了硅基上氮化镓层的质量，产品的效能和亮度也极具竞争力。
https://www.alighting.cn/news/2012113/n121037049.htm2012/1/13 9:39:57
硅基gan衬底面临一些技术挑战。gan和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力，这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
据日经产业新闻30日报导，日本多晶硅制造龙头厂商tokuyama已研发出一款使用于led基板的大尺寸单晶硅晶圆，将正式进军led用大尺寸硅晶圆市场。报导指出，tokuyama所研
https://www.alighting.cn/news/20111201/114055.htm2011/12/1 11:18:52
aixtron爱思强股份有限公司宣布，中国江苏trifortune电子科技有限公司已订购一套aixg5ht系统，用以研发基于氮化镓的高亮度led。
https://www.alighting.cn/news/20140409/114790.htm2014/4/9 9:48:34
