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将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
采钰科技股份有限公司(visera technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属8寸外延片级led硅基封装技术，并以此项技术提供高功率led封装代工服务，对
https://www.alighting.cn/resource/20090917/128738.htm2009/9/17 0:00:00
s c/d标准，2w~400w的设计范围，具有可控硅调光、模拟和pwm多种调光模
https://www.alighting.cn/2013/1/7 13:49:57
型n－zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构，研制成功si基zno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创
https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
树脂的热膨胀系数平均约为65×10-6m/cm/℃;,比对封装树脂中的金属埋人件的热膨胀系数大很多。半导体所用的框架(lead frame)与环氧树脂相差甚远。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127982.htm2010/7/12 17:31:16
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。
https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02
本文为采钰科技的的李豫华博士6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义，现在经李豫华博士的同意，发布于新世纪led网平台分享与大家，希望能够对大家有所帮助。
https://www.alighting.cn/resource/20110616/127498.htm2011/6/16 11:54:07
2004年7月12日，一个令人振奋的固态照明研究项目在欧洲正式启动，位于德国西部的aixtron ag公司也涉足其中。
https://www.alighting.cn/resource/20040712/128407.htm2004/7/12 0:00:00
led产业在封装技术上的发展重点在于低热阻抗及高可靠度。为了因应led在照明领域的特性需求，高亮度led芯片技术的开发朝向高亮度发光效率努力。
https://www.alighting.cn/resource/20110318/127877.htm2011/3/18 10:49:06
