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不同基板1w硅衬底蓝光LED老化性能研究

将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

2013ls:晶能-硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率LED的研发及产业化

本资料来源于2013新世纪LED高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率LED的研发及产业化》的讲义资

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07

台湾联胜光电年底硅衬底月产能达500万颗

联胜总裁黄国欣指出,等了10年,联胜的硅衬底LED自5月开始正式出货,年底单月产能上看500万颗,且良率可提升至60%,届时硅衬底LED毛利率将远高于蓝宝石衬底LED,有助于联

  https://www.alighting.cn/news/20120521/114122.htm2012/5/21 13:56:49

好紧张!硅衬底项目能否获国家科学技术奖?今日揭晓!

2015年度国家科学技术奖颁奖典礼拟于本周五在北京人民大会堂举行。江西省上报的“硅衬底高光效gan基蓝色发光二极管”项目有望斩获技术发明一等奖。该技术发明正在撑起江西省千亿le

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136185.htm2016/1/8 9:55:45

si衬底gan基蓝光LED老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36

硅衬底LED芯片主要制造工艺

目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基LED专利技术,美国cree公司垄断了sic衬底上gan基LED专利技术。因此,研发其他衬底上的gan基LED生产技术成为国际上的一个热

  https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00

LED衬底三分天下,谁将独领风骚?

今年,随着硅衬底技术的不断发展,sic、蓝宝石、硅这三种不同的LED芯片衬底技术路线早已摆开阵势,以高技术含量与低成本为噱头,展开激烈交锋。在这场技术大战中,谁会成为赢家,最终主

  https://www.alighting.cn/news/20120521/89252.htm2012/5/21 13:36:20

硅衬底灯饰LED芯片主要制造工艺解析

目前国际上商品化的gan基LED均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,sic同样存在硬度高且成本昂

  https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37

晶能光电硅衬底LED技术荣获国家技术发明一等奖

1月8日,国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行,由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”荣获国家技

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136207.htm2016/1/8 12:00:44

晶能光电宣布硅衬底大功率LED通过10000小时lm80测试

5月21日,晶能光电宣布其硅衬底大功率LED芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。

  https://www.alighting.cn/news/2014522/n787062438.htm2014/5/22 12:02:41

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