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本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基LED发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127395.htm2011/7/26 11:57:10
在si衬底gan 基蓝光LED 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
在介绍蓝宝石衬底生产工艺流程的基础上，以江苏省某蓝宝石衬底生产项目为例，分析国内此类项目能源消耗情况。结果表明: 该项目消耗的能源包括电力、水、氮气、氩气，据2009 年数据，该
https://www.alighting.cn/resource/20130315/125881.htm2013/3/15 10:01:21
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwLED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
性(semipolar) gan衬底的制程技
https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光LED 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siLED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结LED。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
