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gan基蓝光led关键技术进展

n 基蓝光led 制程的关键技术如金属有机物气相外延, p 型掺杂, 欧姆接触, 刻蚀工艺, 芯片切割技术, 介绍了目前各项技术的工艺现状, 最后指出了需要改进的问题, 展望了末

  https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56

movpe生长1.3μm无致冷algainas/inp应变补偿量子阱激光器研究

通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降

  https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18

光学薄膜的特性原理及分类

目前,光学镀膜材料常用品种已达60余种,而且其品种、应用功能还在不断被开发。近年来以发展到了金属膜系,当金、银、铜和铝的厚度为7~20um时,其对可见光的透射率为50%,而红外

  https://www.alighting.cn/resource/20140504/124609.htm2014/5/4 11:37:02

双波长ingan/gan多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39

腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长gan质量的影响

使用熔融的koh在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了ga

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39

大功率led的封装及其散热基板研究

从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(mcpcb)的性能,并简要分析了其散热原理。最后介绍了等离子微弧氧化(mao)工艺制

  https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06

《光源化学》

本书介绍有关中的化学反应过程,卤钨循环机理,金属卤化物灯化学,光化学光源等原理。详述了灯用主要材料的化学特性:钨钼材料、泡壳材料、荧光粉、卤钨循环剂、稀土金属卤化物、稀有气体、灯

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12460.htm2007/2/8 16:06:50

al_2o_3/si(001)衬底上gan外延薄膜的制备

利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24

淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型gan的研究

采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02

国产陶瓷金属卤化物灯的发展状况

陶瓷金卤灯发展状况:国外陶瓷灯的状况;主要技术标准关键材料及工艺;国内陶瓷灯生产状况;陶瓷灯应用。

  https://www.alighting.cn/resource/2010/12/21/101020_96.htm2010/12/21 10:10:20

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