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而，该荧光粉性能不够稳定，光衰较大，且硫的逸出对芯片产生损害。有研稀土在该荧光粉的制备过程中通过辅助剂的添加和表面处理，有效地减缓了粉体的潮解、氧化及硫的析出，使粉体的稳定性得
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/3/5/267068.html2012/3/5 10:48:28
通过改变荧光粉层粉体的粒度、厚度、形状、固晶位置等参数，可以改变白光led的光效、颜色参数和空间光强分布。论文的第一、二章分别介绍了白光led的基本状况、蒙特卡罗法的基本理论，分
https://www.alighting.cn/resource/2012/1/10/153345_93.htm2012/1/10 15:33:45
膜。xrd测量结果表明利用该方法制备的gan薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用sem和tem观测了薄膜形貌,p
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
采用高温固相法制备了ligd1-xeux(moo4)2钼酸盐红色发光粉,利用xrd和发光光谱技术对粉体进行了性能表征。结果表明:该系列发光粉均为四方晶系的白钨矿结构,能够被近紫外
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:50:26
构表征及原子力显微镜(afm)的形貌表征,发现折射率的变化主要归因于薄膜堆积密度的改
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
米柱的形貌、晶体结构和光学特性进行了观察。sem图像观察到zno纳米柱状结构具有一定的取向性;xrd测试在2θ=34.10°处观测到强的zno(002)衍射峰,证实zno纳米柱具
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
实验采用碳酸锂、氧化钨、氧化铕制备了lieuw2o8发光粉,通过扫描电镜和光谱仪分别研究了它的形貌与光谱特征。结果显示:lieuw2o8发光粉的激发光谱较宽,非常适合于近紫外、蓝
https://www.alighting.cn/resource/20110923/127092.htm2011/9/23 9:38:16
对gainp2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当gainp2材料的生长温度为650～680℃,生长速率为25～35nm/min,ⅴ/ⅲ为180～220时,获得了满足级联电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26
使用扫描电子显微镜、高分辨率x射线衍射、raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的algan样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,aln缓冲层的晶体质量,
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48
