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报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
目前,白光led(wled)的制备方法主要是利用蓝光led 芯片与yag 荧光粉结合实现(即光转换法),但由于yag 的发射光谱中缺少红光成分,所以难以实现高显色性 ,并且该问
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:26:44
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
gan基蓝光led高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了gan材料和gan基蓝光led器件结构的发展，阐述了为改善led性能的一些新措施，led在照明光源上的应用优势，给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
采用出光筒控制光源方向和积分球收集光线，能有效防止能量损失，提高测试的精确性。通过实验得到了不同强度蓝光激发下的荧光粉光谱功率分布以及发光效能、量子效率、光转换效率等参数的变化规
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124216.htm2014/10/11 11:12:47
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k～16
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14
通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
以30 名视力正常的学生为研究对象,采用剂量作业法、生理参数法和疲劳评价法研究了人体在峰值波长分别为468,457,453 nm 的蓝光led 照明下的光生物节律效应。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124220.htm2014/10/11 9:55:04
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
