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报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
蓝光究竟有多大危害，相信我们很多人都已经有所了解。相关行业人员也提出了各种各样的解决方案，今天，我们来简要地了解蓝光的评价方法和试验测试!
https://www.alighting.cn/resource/20160823/143201.htm2016/8/23 10:28:56
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的投射，耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高gan基蓝光le
https://www.alighting.cn/2014/12/2 11:12:13
通过引入具有电子传输性能的噁二唑衍生物支链,采用suzuki偶联反应,设计并合成了一种新型的蒽衍生物蓝光材料,同时研究了它的光学性能、热学性能、电化学性能以及成膜性。
https://www.alighting.cn/2015/2/28 9:58:15
被重视。对led 蓝光危害与对司辰节律的影响提出了应对的措施，包括室内灯具和室外灯具应关注的要点。本文倡导应树立正确的led 照明的节能理
https://www.alighting.cn/resource/2013/11/15/11446_76.htm2013/11/15 11:44:06
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
随着国力的增强，农村获得的优惠政策也越来越多，对农村发展的支持力度越来越大。因此农村照明市场有着巨大的潜力可挖。在目前led技术飞速发展的前提下，最近一年来led灯具各个零部
https://www.alighting.cn/resource/20130222/126026.htm2013/2/22 10:20:00
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
