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将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
以30 名视力正常的学生为研究对象,采用剂量作业法、生理参数法和疲劳评价法研究了人体在峰值波长分别为468,457,453 nm 的蓝光led 照明下的光生物节律效应。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124220.htm2014/10/11 9:55:04
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
物安全的检测及评判结果，并且较客观地分析了目前我国led 照明产品的蓝光危害的实际情况。另外，还根据国际上研究的蓝光对人的司辰节律的影响，分析并且提出了正确的led 照明产品的生产
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125785.htm2013/3/29 11:33:42
通过引入具有电子传输性能的噁二唑衍生物支链,采用suzuki偶联反应,设计并合成了一种新型的蒽衍生物蓝光材料,同时研究了它的光学性能、热学性能、电化学性能以及成膜性。
https://www.alighting.cn/2015/2/28 9:58:15
通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的投射，耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高gan基蓝光le
https://www.alighting.cn/2014/12/2 11:12:13
聚一堂。在沙龙上，广州科柏照明工程设计有限公司设计总监徐庆辉作为讨论环节的主持人，与演讲嘉宾和参会人员共探热门设计话题，将沙龙推向另一高潮。附件是徐工与大家交流关于led蓝光的话题资
https://www.alighting.cn/resource/2013/6/14/11338_04.htm2013/6/14 11:33:08
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
