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采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zno薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(n2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量5
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出p型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
在蓝宝石基片上,以ceo2为缓冲层制备了高质量的双面tl2ba2cacu2o8(tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的ceo2缓冲薄膜,并对ceo2薄膜进
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气
https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11
由于有机电致发光器件(organic light-emitting devices,oleds)的主动发光、高亮度等优点,在显示和照明领域有极大的应用前景。报道了纳米zno薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15
采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
