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生长温度对6h-sic上sicge薄膜发光特性的影响

利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103

  https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06

led薄膜灯设计 演绎那一缕柔情(组图)

led薄膜灯设计,演绎那一缕柔情。国外灯具设计,来自国外灯具设计师的杰作。

  https://www.alighting.cn/case/2010315/V6640.htm2010/3/15 8:32:35

vishay推出可提供1w额定功率的新系列宽接头薄膜片式电阻

t professional宽接头薄膜片式电阻家

  https://www.alighting.cn/pingce/20160909/144090.htm2016/9/9 16:07:05

研究人员开发出全新纳米薄膜技术,深紫外led有望低价

俄亥俄州立大学的工程师们开发出了一种柔性、轻量、基于led的深紫外薄膜原型。它能够包覆在物品上,然后特别有效地杀死有害微生物。

  https://www.alighting.cn/pingce/20161121/146222.htm2016/11/21 10:10:41

薄膜倒装芯片技术为照明应用提供高性能led

飞利浦lumileds照明公司推出它的新薄膜倒装芯片技术,比其它薄膜倒装芯片技术架构多17%的光输出。薄膜倒装芯片技术汲及蓝宝石衬底的移除和芯片发光表面的加工来提高光输出效率。公

  https://www.alighting.cn/resource/20070712/128515.htm2007/7/12 0:00:00

si基zno/ga_2o_3氨化反应制备gan薄膜

利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

蓝宝石衬底分子束外延生长gan薄膜的原位椭偏光谱分析

通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45

产业区域转移 led吹响中部崛起号角

如果说前十年的半导体发展是在全球节能环保发展低碳经济倒逼及政府主导下趔趄前行,那么现在的半导体照明发展可以用暗潮涌动来形容。

  https://www.alighting.cn/news/201434/n715360363.htm2014/3/4 14:16:34

trendforce:micro led巨量转移技术仍待突破

由于samsung、sony、auo等大厂皆已于2018年展示micro led相关概念性产品,samsung甚至传出希望量产超大尺寸的micro led电视,带动更多厂商投入开发

  https://www.alighting.cn/news/20180716/157660.htm2018/7/16 9:46:47

不同衬底温度下pld 法制备的氧化锌薄膜的特性

利用gcr170型脉冲激光器nd:yag 的三次谐波(355nm),以蓝宝石al2o3(0001)为衬底,在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10

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