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led芯片制作不可不知的知识

外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(

  https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22

led芯片知识大了解

一份关于介绍《led芯片知识大了解》的技术资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/resource/20131008/125265.htm2013/10/8 11:19:19

gan基ledn极性n型欧姆接触研究

在sigan基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。

  https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32

2013年led照明十大关键技术

oled称为有机发光二极管,是基于有机半导体材料的发光二极管。oled由于具有全固态、主动发光、高对比、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作温度范围宽、易于实现柔性和大面积、

  https://www.alighting.cn/resource/20130929/125280.htm2013/9/29 10:00:57

led芯片制作

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  https://www.alighting.cn/resource/20130916/125323.htm2013/9/16 13:28:28

确保led应用的蓝宝石晶体质量

本篇论文讨论了gt公司的oht蓝宝石材料等级检测技术,并重点介绍了gt公司如何运用oht技术,确保了其asft?长晶炉生产的蓝宝石材料满足或超越led级别的材料质量要求。

  https://www.alighting.cn/2013/9/6 15:34:38

牺牲ni退火对硅gan基发光二极管p型接触影响

本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅gan基led薄膜p型欧姆接触的影响,在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34

led半导体照明外延及芯片技术的最新进展

自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来,基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止,商品化白光le

  https://www.alighting.cn/resource/20130830/125359.htm2013/8/30 17:48:20

大功率led封装热性能因素的有限元分析

本文是针对大功率led封装器件散热性能的影响因素,重点利用有限元anays软件模拟分析了环境温度、芯片、光电转换效率、导热胶、介电层厚度和空气对流系数等对led封装散热效

  https://www.alighting.cn/resource/2013/8/29/151932_67.htm2013/8/29 15:19:32

牺牲ni退火对硅gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

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