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了高效的硅基发光二极管(siLEDs)，其不含重金属，却能够发射出多种颜色的
https://www.alighting.cn/pingce/20130221/121910.htm2013/2/21 11:10:07
为了简化分析过程，进一步理清涉及到LED芯粒本身的失效机理，本文对所取样的LED芯粒仅进行简单的金胶固定。本文从外延角度出发，通过研究不同波段的GaN LED在加速电流应力条件下
https://www.alighting.cn/resource/20150320/123443.htm2015/3/20 11:09:20
对前期工作中使用crosslight apsys软件模拟的6种优化电极的GaN基inGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进
https://www.alighting.cn/2011/12/6 16:52:22
在si衬底上生长了GaN基LED外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光LED芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
研究结果表明：采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于LED光提取效率的提高。
https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03
与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的inGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vLEDs),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
发副总裁孙钱博士以《硅衬底GaN基高效LED的最新进展》为主题，作了精彩分
https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30
f toronto)的科研人员借助硅纳米晶体，成功制造出了高效的硅基发光二极管(siLEDs)，该二极管不含重金属，却能够发射出多种颜色的
https://www.alighting.cn/news/2013225/n938249205.htm2013/2/25 16:08:13
