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bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd（遥控等离子化学气相沉积）在玻璃衬底上沉积的GaN led与mocvd法制备的led进
https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00
阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类led，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00
乾照光电和武汉大学研究人员表示，他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率，可靠的基于GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此
https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05
北京大学的张国义整理的关于《GaN同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料，分享给大家。
https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48
o led、GaN功率器件等项
https://www.alighting.cn/news/20200403/167601.htm2020/4/3 16:54:01
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
据悉，现行的制造技术仅能制作出数mm左右大小的长方形GaN基板。住友的GaN基板，突破这一量产组件的瓶颈，即使与现行已进行量产的GaN基板结晶面(crystal face)相
https://www.alighting.cn/resource/20101125/128781.htm2010/11/25 0:00:00
基色qled器件，其中多项性能指标创世界记录…
https://www.alighting.cn/news/20190416/161594.htm2019/4/16 9:20:49
本文首先综述了GaN基材料的基本特性，分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
