站内搜索
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/6/22/222656.html2011/6/22 14:48:00
1,cree著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/6/18/278893.html2012/6/18 9:44:56
1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
少是mocvd系统制造商的一个关键目标。影响mocvd工艺的生产率和成本的精确参数分析是任何改善努力的前提。通过这种分析，我们发现产率(每单位时间生产的晶圆面积)和产量是关键特性。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00
led 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（wafer fabrication）、晶圆针测工序（wafer probe）、构装工序（packaging）、测试工序（initia
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
台湾原厂供应8寸台系mos管晶圆，良率大损耗小。裸片尺寸大是市面上的2～3倍，可大大的降低成本，更可节约能源以及水资源。从机器和工艺上讲我们全部采用8寸工艺生产制造，取代市场上
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299431.html2012/11/21 14:20:18
且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响GaN材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
外的这轮建厂运动最终会对国内带来什么冲击现在还不清楚，但毋庸置疑的是上游战场的火药味儿却是越来越浓了。 cree计划投资1.35亿，筹建150-mmled晶圆生产厂 近
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/10/7/102325.html2010/10/7 8:33:00
件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(GaN)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
