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为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的GaN基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅GaN基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
在si衬底GaN基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
对大功率GaN基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
本文就“GaN材料的特性与应用，GaN是什么？”做了简要的分析概述，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101210/128138.htm2010/12/10 13:45:00
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
文章分析了mb芯片、gb芯片、ts芯片以及as芯片这四种led芯片各自的特点。
https://www.alighting.cn/2013/9/11 14:30:53
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和GaN存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
2007年10月5日，aixtron ag和crystalq bv已呈献一6英寸（150mm）c面蓝宝石上GaN晶片的最初测试结果。目前的晶片测试报告显示出6英寸晶片卓越的颜色及
https://www.alighting.cn/resource/20071011/128540.htm2007/10/11 0:00:00
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理，以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
aixtron正在通过推出垂直hvpe工具加速自支撑GaN的商业化，该工具以悬挂的种晶架为特征，并能产直径为2英寸的梨形人造晶体。
https://www.alighting.cn/resource/20071016/128543.htm2007/10/16 0:00:00
