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movpe生长1.3μm无致冷aLGainas/inp应变补偿量子阱激光器研究

通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了aLGainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降

  https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18

mocvd法制备磷掺杂p型zno薄膜

利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400~450℃

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25

led专利壁垒的形成分析

《led专利壁垒的形成分析》内容:一、 led专利壁垒形成;二、行业垄断寡头;三、中村修二(日亚化学)“诺贝尔奖级别”的发明;四、白光led官司与合作;五、契机:专利到期格局生

  https://www.alighting.cn/resource/2011/9/21/162346_80.htm2011/9/21 16:23:46

ge衬底上gainp_2材料的生长研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lpmocvd设备,在(100)面偏(110)面9°的ge单晶衬底上外延生长了gainp2材料,研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、生长速率等生长参数

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26

gasb衬底上外延inas_xsb_(1-x)材料的lp-mocvd研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39

氢化物气相外延自支撑gan衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式oled的研究

采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11

  https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05

蓝宝石基底上高密度定向单壁碳纳米管阵列的控制生长

利用含3%(质量分数)水的乙醇为碳源,在a面(11-20)蓝宝石单晶表面合成了平行于[1-100]晶格方向的单壁碳纳米管阵列,并用afm,sem和raman对其进行了表征.阵列中碳

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127195.htm2011/9/5 14:58:35

图形蓝宝石基gan性能的研究

在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25

双波长ingan/gan多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39

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