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一份出自晶能光电公司的关于介绍《LED照明灯mocvd外延生长技术》的讲义资料，分享了衬底材料的选择，以及外延技术的发展趋势等内容，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01
以gan为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光LED、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景.因而开发适合规模制造ga
https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底。
https://www.alighting.cn/resource/2008423/V15260.htm2008/4/23 11:49:42
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
https://www.alighting.cn/resource/20130801/125427.htm2013/8/1 15:47:37
制及其它电子器件结构生长的一个关健问题。近年来, 随着工艺的发展, gan晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在Si衬底上制造出LED。介绍了gan薄膜开裂问题及近期硅衬
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
电性能进行了研究。实验结果表明:Sic缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是Sic作为柔性衬底能够减少zno与Si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
对不同大功率LED芯片进行单次脉冲浪涌冲击，对比不同大功率LED芯片在相同浪涌波形下的抗过电应力能力。实验共测试5款LED产品，发现不同大功率LED芯片的抗过电应力能力相差很
https://www.alighting.cn/resource/20131114/125121.htm2013/11/14 16:33:06
https://www.alighting.cn/resource/2011/12/28/164634_37.htm2011/12/28 16:46:34
针对于目前蓝光LED所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在LED芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
一份来源于新世纪LED有奖征稿活动的关于介绍《高效率LED交通信号灯的二次光学设计》的技术资料，本文提供了一个对LED 进行二次光学设计的方案。该设计在达到国家标准规定的le
https://www.alighting.cn/2013/4/17 11:36:30
