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rohm(罗姆)亮相第十七届高交会电子展

2015年11月16日-21日,rohm亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(elexcon 2015)”。在本次展会上展出了rohm所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化

  https://www.alighting.cn/news/20151124/134436.htm2015/11/24 18:52:50

美国cree拟于2009年开始供应SiC底板

美国cree表示,计划于2009~2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用底板的功率半导体量产所用尺寸,很多元器件厂商均要求供应这种口

  https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00

科锐宣布量产第二代碳化 mosfet器件显著降低电源转换系统成本

碳化(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化mosfet器件。相对于同等成本的基于器件的系统,科锐新型碳化mosfet器件可实现更高的系统效率及更

  https://www.alighting.cn/news/2013320/n847049790.htm2013/3/20 9:48:13

日商air water量产全球最大尺寸SiC基板

日商air water inc.20日发布新闻稿宣布,已成功研发出可生产全球最大尺寸的“碳化矽(SiC)”基板量产技术,借由该技术所生产的SiC基板尺寸可达8寸(现行主流为4寸)。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130522/122098.htm2013/5/22 10:21:38

我国成功研制出6英寸碳化晶片 年产7万片

不久前,中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作,解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术,成功研制出了6英寸碳化单晶衬底。

  https://www.alighting.cn/news/20150113/81743.htm2015/1/13 10:39:01

bridgelux成功在8寸晶圆生成无裂痕氮化镓层

led照明技术及解决方案研发与制造厂商bridgelux近日宣布,利用独家缓冲层技术,成功在8寸晶圆生成无裂痕氮化镓层,并且不会在室温下弯曲变形,除了刷新先前在业界创下“氮化

  https://www.alighting.cn/news/20110816/115082.htm2011/8/16 10:07:56

科锐宣布扩产计划进展,将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂

9月23日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – 作为碳化SiC)技术全球领先企业的科锐宣布计划在美国东海岸创建碳化SiC)走廊,建造全球最大的碳化SiC)制造工厂。

  https://www.alighting.cn/news/20190924/164226.htm2019/9/24 13:33:07

十年磨一剑 中国led衬底技术取得突破性进展

在led行业中,我国自主创新的衬底led技术被誉为继碳化(SiC)led技术、蓝宝石衬底led技术之外的第三条技术路线,其打破了日本和欧美led厂商形成的牢固的专利壁垒,拥

  https://www.alighting.cn/news/201467/n323862863.htm2014/6/7 11:30:20

衬底材料——半导体照明的基石

半导体照明是一种基于半导体发光二极管新型光源的固态照明,是21世纪最具发展前景的高技术领域之一,已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。衬底作为半导体照明产业技术发展

  https://www.alighting.cn/resource/20060627/128937.htm2006/6/27 0:00:00

SiC功率组件的组装与散热管理

SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而,这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。典型的杂散参数如电感值,在电路中逐渐成为关键组件。

  https://www.alighting.cn/resource/20140411/124685.htm2014/4/11 11:14:58

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