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晶能大功率led芯片量产

业精英们进行交流学习和共同提高的机会。 晶能光电拥有的基led技术,具有完整的自主知识产权,目前已申请及获得国际国内各种专利200余项,在蓝宝石衬底、碳化衬底之外,形成了第三条半

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/11/19/298630.html2012/11/19 11:11:30

2008—2009年全球主要芯片生产商分析

值。  科锐的市场优势关键来源于公司在有氮化镓(gan)的碳化SiC)方面上独一的材料专长知识,来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率,同时比

  http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/3/1/34577.html2010/3/1 13:10:00

led晶片对led光衰的影响

类: 一、led晶片的材质不同导致led红外灯光衰衰减不同。 目前常用的蓝光晶片衬底材质为碳化和蓝宝石,碳化一般结构设计为单电极,其导热效果较好,蓝宝石一般设计为双电

  http://blog.alighting.cn/110231/archive/2012/8/29/287582.html2012/8/29 9:07:45

led灯与普通照明灯的区别

生了好几代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/ 瓦,发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。9

  http://blog.alighting.cn/ledwgzm/archive/2010/5/11/43817.html2010/5/11 15:32:00

led显示器件发展简史及应用趋势

断研发产生了好几代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦,发出的光强度很少有超过15毫堪(millicande

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179868.html2011/5/20 0:30:00

led显示器件发展简史

代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦,发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。90年代中

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00

led外延片(衬底材料)介绍

石al2o3和碳化SiC衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00

led芯片的技术和应用设计知识(一)

(si)、碳化(SiC)以外,氧化锌(zno)和氮化镓(gan)等也是当前研究的焦点。无论是重点照明和整体照明的大功率芯片,还是用于装饰照明和一些简单辅助照明的小功率芯片,技

  http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56

使用不同封装技术 强化led元件的应用优势

件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。  在led的基底材料方面,除传统蓝宝石基底材料外,(si)、碳化(SiC)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00

led芯片价格下降的三种途径

从管芯的两侧引出,而不必象不导电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对gan外延层的干法腐蚀步骤。同时由于的硬度比蓝宝石和SiC低,在加工方面也可以节

  http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/7/1/53723.html2010/7/1 17:06:00

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