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美国大型SiC底板厂商科锐（cree）在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议（ecscrm）”上，以“defect control in si
https://www.alighting.cn/news/20080912/119518.htm2008/9/12 0:00:00
能耗减半的关键点是采用半导体材料碳化硅(SiC)与硅基氮化镓(gan-on-si)，凭借这些材料的电子属性可设计出紧凑且高效的功率电子电路。目前英飞凌已在其jfet和600v
https://www.alighting.cn/news/20140703/105266.htm2014/7/3 9:01:01
我国台湾地区太阳能硅晶圆大厂绿能透露，目前订单爆满，几乎已是产能的两倍，在产品不足情况下，下个季度不排除硅晶圆再涨价的可能。
https://www.alighting.cn/news/20100823/106236.htm2010/8/23 0:00:00
日前，清华大学工程物理系技术物理研究所利用离心分离技术获得了同位素纯硅-28，并与本校微电子所合作，在普通硅片上外延成单晶状硅-28薄膜，并采用这种特殊的硅片研制出两种基本的微电
https://www.alighting.cn/resource/20040910/128412.htm2004/9/10 0:00:00
不久前，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。
https://www.alighting.cn/news/20150113/81743.htm2015/1/13 10:39:01
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127604.htm2011/5/17 13:32:57
日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200v/100a)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(silicon carbide：碳化
https://www.alighting.cn/pingce/20120323/122874.htm2012/3/23 16:07:24
功表明azzurro的技术有能力做出‘1 bin’硅基氮化镓led晶
https://www.alighting.cn/pingce/20130904/121716.htm2013/9/4 10:21:19
科锐公司 (cree, inc) (nasdaq: cree)宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这
https://www.alighting.cn/news/20130318/113157.htm2013/3/18 15:17:09
科锐(cree) 9月3日宣布将把旗下的动力(power) 和射频(rf) 部门更名为疾狼( Wolfspeed ) 。
https://www.alighting.cn/news/20150907/132428.htm2015/9/7 9:36:48
