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紫外激发的licapo_4:eu~(2+)蓝色发光粉的发光特性

采用高温固相法合成了licapo4:eu2+蓝色发光粉,并对其发光特性进行了研究。该发光粉发射峰值位于470nm,属于eu2+的4f65d1→4f的特征跃迁发射,与结构相

  https://www.alighting.cn/resource/20110324/127824.htm2011/3/24 18:49:36

半导体照明发光二极管的芯片制造技术及相关物理问题

以化合物半导体材料为发光元件的半导体固态照明正引发人类照明史上的又一次伟大革命.目前,局限半导体照明广泛应用的主要技术瓶颈有:出光效率(或外量子效率),单管最大可发光通量(或最大

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1063.htm2010/1/18 14:18:53

厚度对gan薄膜的发光性能的影响

研究发现不同厚度gan 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近,在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。

  https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03

白光led用红色发光粉ligd(moo_4))2:eu~(3+)的制备和发光特性

采用高温固相法制备了ligd1-xeux(moo4)2钼酸盐红色发光粉,利用xrd和发光光谱技术对粉体进行了性能表征。结果表明:该系列发光粉均为四方晶系的白钨矿结构,能够被近紫外

  https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:50:26

有机电致发光显示器件oled简介

由华嘉光电技术有限公司的姚华文所整理的《有机电致发光显示器件oled简介》,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/resource/20130313/125899.htm2013/3/13 10:11:17

in组分对ingan/gan蓝光led发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14

eu3+荧光粉的制备和发光性能

于eu3+的5d0→7fj(j=1,2,3,4)特征锐线发射,eu3+摩尔分数为14%时荧光粉的发光强度最

  https://www.alighting.cn/2014/7/16 10:49:56

发光二极管(led)产品基础知识简介

发光二极管(led)产品基础知识简介》,从发光二极管(led)简介、led主要制程及物料、公司主要产品结构介绍、led主要光电参数简述、led的优点这五个方面进行叙述,欢迎下

  https://www.alighting.cn/resource/2010/12/8/103557_09.htm2010/12/8 10:35:57

提升白光led发光效率的四大关键

过去led业者为了获利充分的白光led光束,曾经开发大尺寸led芯片试图藉此方式达成预期目标,不过实际上白光led的施加电力持续超过1w以上时光束反而会下降,发光效率则相对降低2

  https://www.alighting.cn/resource/2013/1/5/112036_45.htm2013/1/5 11:20:36

美韩最新研究有效提升led发光效率

在与韩国electro-mechanics公司的共同努力下,美国rensselaer polytechnic institute大学近日发表了一项最新的研究成果,可提升发光功率1

  https://www.alighting.cn/resource/20090115/128659.htm2009/1/15 0:00:00

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