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提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高gan基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构
https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38
蓝宝石衬底虽然受到来自si与gan衬底的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石衬底的发展方向是大尺寸与图案化(pss)。由于蓝宝石硬度仅次
https://www.alighting.cn/resource/20121018/126325.htm2012/10/18 10:48:12
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
对于高亮度led制造业来说，蓝宝石上gan明显是一种领先的方案;sic上gan几乎也一样，对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言，它是一张中奖彩票。硅上gan也是用于这几个市场，但
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
在介绍蓝宝石衬底生产工艺流程的基础上，以江苏省某蓝宝石衬底生产项目为例，分析国内此类项目能源消耗情况。结果表明: 该项目消耗的能源包括电力、水、氮气、氩气，据2009 年数据，该
https://www.alighting.cn/resource/20130315/125881.htm2013/3/15 10:01:21
回顾了(0001)面蓝宝石衬底在led的重要作用及其磨粒加工方法的发展进程。归纳了磨粒加工在蓝宝石衬底的超光滑制备过程中的应用现状,分别对磨削、机械抛光、干式机械化学抛光、湿式机
https://www.alighting.cn/resource/20110901/127214.htm2011/9/1 14:20:00
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
