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晶电技术支持投资广光电 升获利能力

龙头厂晶电由于应用在led照明、和独特的四元led,二项仍占有逾四成的营收,加上电视客户规格提高时,技术又能快速跟上,因此冲击较小,反观像泰谷、广由于产品类似,背光源的价格已成

  https://www.alighting.cn/news/20110919/114609.htm2011/9/19 9:11:17

gan薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征

采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化薄膜.以单质源制备盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr

  https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10

三菱化学将量产白色led用gan基板

三菱化学(mitsubishi chemical)计划藉由采用所谓的“液相法”的制造手法量产使用于照明用白色led的氮化(gan)基板。

  https://www.alighting.cn/news/2011915/n658734484.htm2011/9/15 10:16:19

gan类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?(上)

gan(氮化)作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用gan功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货gan类功率元

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00

美科学家研制新的氮化—锑合金,让光电催化水解制氢更快捷

科学家们在美国能源部的资助下,借用最先进的理论计算证明,在氮化(gan)化合物中,2%的氮化由锑(sb)替代,这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳

  https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07

氢化物气相外延自支撑gan衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

膜层厚度对蓝宝石衬底上生长的ito薄膜性质的影响

采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23

gan类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?(下)

gan类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?gan类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41

功率型led中的光学与热学问题

由于iii族氮化物的p型掺杂受限于mg受主的溶解度和空穴的较高激活能,热量特别容易在p型区域中产生,这个热量必须通过整个结构才能在热沉上消散;led器件的散热途径主要是热传导和

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127197.htm2011/9/5 14:38:54

淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型gan的研究

采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表面台

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02

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