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镓（ingan ）led电容（capacitance）。为了增加电容，韩国研究人员改变了在生长量子阱前的10nm厚的n型gan薄膜的硅掺杂浓度，浓度从3×1018 cm-3变到
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
偎其身旁的就有“玉兔”。澳门馆的高度19.99米，正合澳门回归的1999，含义隽永。 双层玻璃薄膜作为外墙材料，夜晚的灯光下宫灯的颜色自然想变就变;不仅变颜色，还可以变内容——澳门
http://blog.alighting.cn/ljj198412300521/archive/2010/10/15/107174.html2010/10/15 17:29:00
: ag（10: 1），li:al (0.6%li) 合金电极，功函数分别为3.7ev和3.2ev。优点：提高器件量子效率和稳定性；能在有机膜上形成稳定坚固的金属薄膜。 c．层状阴极
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
产的要求，而且当采用等离子体辅助方式时，要采取措施避免高能离子对于薄膜的损伤。 2.3 hvpe人们最早就是采用这种生长技术制备出了gan 单晶薄膜。氢化物汽相外延技术是一种化学汽
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
把铜箔绝缘体和铝板粘结起来。有一些led灯具，虽然散热器是经过精心设计，但是很快就坏，问题就是出在采用了热阻很大的铝基板或是剥离强度很差的铝基板。用一段时间，电路薄膜就翘了起来，也
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139187.html2011/3/7 16:05:00
n结??光区发出的光透过上面的p型区射出。由于p型gan传导性能不佳,为获得良好的电流扩展,需要通过蒸镀技术在p区表面形成一层ni-au组成的金属电极层。p区引线通过该层金属薄膜引
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
强。 图1：led 芯片结构的发展历程 薄膜芯片技术是超亮 led 芯片生产中的核心技术,能够减少各侧面的光输出损耗,并能借助底部的反射面使 97% 以上的光线从正
http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/1/146127.html2011/4/1 22:46:00
向羊城晚报记者爆料：这幅现代包装的中国传统水墨画作品,其写意山水效果的营造，很大程度上都靠超市里两块钱一大卷的黑白两色垃圾袋。 “用垃圾袋作塑料薄膜光介质层。”郝教授介绍，“东方之
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179107.html2011/5/17 16:38:00
x）两种。无源驱动型不采用薄膜晶体管（ tft）基板，一般适用于中小尺寸显示；有源驱动型则采用tft基板，适用于中大尺寸显示，特别是大尺寸全彩色动态图像的显示。目前，无源驱动
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179878.html2011/5/20 0:33:00
城晚报记者爆料：这幅现代包装的中国传统水墨画作品,其写意山水效果的营造，很大程度上都靠超市里两块钱一大卷的黑白两色垃圾袋。 “用垃圾袋作塑料薄膜光介质层。”郝教授介绍，“东方之梦
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/221995.html2011/6/19 21:45:00
