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美国uni-pixel利用沿平面直角方向导出led光

应用mems技术开发薄膜显示器的风险企业美国uni-pixel宣布,将就该公司mems彩色显示器“tmos(time multiplexed optical shutter)

  https://www.alighting.cn/news/20081029/120218.htm2008/10/29 0:00:00

高亮led的那些事儿

全球led的市场规模年均增长率超过20%,2005年市场规模超过60亿美元,其中高亮度led在1995-2004年间年均增长率达到46%,2005年市场规模达到42亿美元,所占整个

  https://www.alighting.cn/resource/20120323/126648.htm2012/3/23 15:06:48

晶科电子:2016年更有信心 明年有望进入创新层

晶科电子成立于2006年8月,一直专注于倒装芯片技术的突破,并通过无金线封装把集成电路的晶片级封装引入led行业,由此开启了倒装无金线封装的潮流,成为国内基于倒装焊技术的领先级封

  https://www.alighting.cn/news/20160624/141401.htm2016/6/24 15:24:12

led圈4位大咖从7大方面解读csp

由于csp的小尺寸、更接近于点光源、高电流密度等特点,目前主要在背光和手机闪光等应用中得到推广,在照明应用中csp还刚刚起步,随着光效的提高、倒装芯片性价比的体现、所配合的贴装设

  https://www.alighting.cn/pingce/20170323/149167.htm2017/3/23 9:46:39

tcta对红绿磷光有机电致发光器件发光层激子的调控作用

本文通过改变器件结构的方法来改善红绿磷光器件性能,制备了以cbp为主体,gir1和r-4b为绿、红磷光掺杂的oled器件。利用红绿双发光层间加入较薄间隔层的方法,得到了发光性能较

  https://www.alighting.cn/2015/3/17 11:04:59

条形叉指n阱和p衬底结的硅led设计及分析

采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile

  https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52

提高有机/无机复合结构紫外led效率

研究发现,在合适应力下,外量子效率可提高两倍以上,达到5.92%。iv曲线在正负偏压下的非对称变化表明器件性能的提高主要由具有极性的压电效应引起,而不是由非极性的压阻和接触效应引

  https://www.alighting.cn/2013/8/13 10:38:53

浅谈晶科电子的cob产品“创”变历程

b的性价比优势日渐明显。由于cob的光品质远高于单个大功率器件,其在2014年后便迅速渗透商业照明应用市场,并且成为目前定向照明主流的解决方案,同时cob在中功率应用市场也得到快

  https://www.alighting.cn/news/20161111/145980.htm2016/11/11 11:08:07

京华电子高集成led显示器件解决高密度显示幕的散热难题

京华电子实业有限公司承担的“高集成led显示器件”专案采用铝合金金属面罩结构,综合运用cob封装、随机混晶、电泳着色等技术,研制出高集成led显示器件,解决了散热难题,研制出的显

  https://www.alighting.cn/news/20120206/114290.htm2012/2/6 16:36:48

《白光oled照明》(电子书)

、柔性白光oled器件、有机发光器件的光学与光萃取、oled器件封装、白光oled工艺与设备、2009~2010年oled照明的最新进展、oled材料的名称与结

  https://www.alighting.cn/resource/2012/9/25/135256_93.htm2012/9/25 13:52:56

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