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年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271697.html2012/4/10 23:22:48
c，即可通过一个pwm信号、dc电压或外部nmos晶体管来完成调光操作，调光范围可高达3000:1。 最后，车载电子产品可能对噪声很敏感，尤其是导航系统、无线电路和am无线电波段接
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271690.html2012/4/10 23:22:18
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271169.html2012/4/10 20:58:57
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271167.html2012/4/10 20:58:52
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
向出光利用率。 1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标，tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收（有源区吸收和自由截流子吸收等）引起的
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
车后部的高位刹车灯，90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。 1995年，日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后，世界上结束了没有原色蓝光的历史，在全球掀起了ga
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271135.html2012/4/10 20:56:26
在mocvd 反应器中外延异质结构的材料时，用来生长晶体的各组份和掺杂剂，都是以气态方式进入反应器的;该系统通过周期性地切换各种反应气体控制其流入量，在衬底上外延出特定组份、特
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:29:55
近日，ims reseach 发布了最新《GaNg led季度供需报告》，报告显示，2011年 GaN led封装总产值为80亿美元，同比下降了6%。2016年，GaN led市
https://www.alighting.cn/news/20120329/99682.htm2012/3/29 17:26:59
市场研究机构ims预测2012年GaN基mocvd的出货量将从2011年的654套降至342套，下降幅度达48%。当前正处谷底，预计今年二季度中后期会有缓慢的回升，该预测是基于
https://www.alighting.cn/news/20120327/89383.htm2012/3/27 15:41:55
